Vyhledávat v databázi titulů je možné dle ISBN, ISSN, EAN, č. ČNB, OCLC či vlastního identifikátoru. Vyhledávat lze i v databázi autorů dle id autority či jména.
Projekt ObalkyKnih.cz sdružuje různé zdroje informací o knížkách do jedné, snadno použitelné webové služby. Naše databáze v tuto chvíli obsahuje 3150518 obálek a 950589 obsahů českých a zahraničních publikací. Naše API využívá většina knihoven v ČR.
Electronic properties of semiconductor interfaces
Autor: Mönch, Winfried
Rok: c2004.
ISBN: 9783540202158
OKCZID: 110467037
Citace (dle ČSN ISO 690):
MÖNCH, Winfried. Electronic properties of semiconductor interfaces. Berlin: Springer, c2004. xi, 263 s. Springer series in surface sciences, 43.
Anotace
Using the continuum of interface-induced gap states (IFIGS) as a unifying theme, Mönch explains the band-structure lineup at all types of semiconductor interfaces. These intrinsic IFIGS are the wave-function tails of electron states, which overlap a semiconductor band-gap exactly at the interface, so they originate from the quantum-mechanical tunnel effect. He shows that a more chemical view relates the IFIGS to the partial ionic character of the covalent interface-bonds and that the charge transfer across the interface may be modeled by generalizing Pauling?s electronegativity concept. The IFIGS-and-electronegativity theory is used to quantitatively explain the barrier heights and band offsets of well-characterized Schottky contacts and semiconductor heterostructures, respectively.