Vyhledávat v databázi titulů je možné dle ISBN, ISSN, EAN, č. ČNB, OCLC či vlastního identifikátoru. Vyhledávat lze i v databázi autorů dle id autority či jména.
Projekt ObalkyKnih.cz sdružuje různé zdroje informací o knížkách do jedné, snadno použitelné webové služby. Naše databáze v tuto chvíli obsahuje 3146029 obálek a 949466 obsahů českých a zahraničních publikací. Naše API využívá většina knihoven v ČR.
Chemické procesní inženýrství a simulační metody I : teoretické podklady
Autor: Tomáš Vaněk, Martin Kohout, Pavlína Basařová
ISBN: 9788075920836
NKP-CNB: cnb003321694
OKCZID: 128560833
Půjčte si tento titul v knihovně přes portál Knihovny.cz
Citace (dle ČSN ISO 690):
VANĚK, Tomáš. Chemické procesní inženýrství a simulační metody I: teoretické podklady. Vydání první. Praha: Vysoká škola chemicko-technologická v Praze, 2021. 249 stran.
Anotace
První díl skript seznamuje čtenáře se základy procesního inženýrství a uvádí přehled všeho, co student potřebuje pro pochopení nejdůležitějšího nástroje, kterým jsou principy simulačních metod. V textu jsou popsány stacionární modely jednotkových operací, které slouží jako stavební prvky pro modely celých procesů a současně jsou zde představeny metody řešení simulačních modelů. Publikace také obsahuje přehled fyzikálně-chemických metod, které jsou pro simulační modely klíčové. Kromě stacionární simulace je pozornost věnována i dynamickému chování procesů včetně řídicího systému. V textu je také vyhrazen prostor pro základy teorie grafů, používané k analýze proudových schémat a pro přehled vybraných numerických metod.